Mặt Nạ Swissline CS Lifting Replenishing Mask

Mặt Nạ Swissline CS Lifting Replenishing Mask

Mô tả sản phẩm Mặt Nạ Swissline CS Lifting Replenishing Mask

Mặt Nạ Swissline CS Lifting Replenishing Mask Mặt nạ làm căng và chống chảy xệ da hoàn hảo, với thành phần chứa lụa, axit hyaluronic, Cellactel II và aquarich giúp da luôn được nuôi dưỡng 24 giờ, loại kem này sẽ tối ưu khả năng giữ được độ ẩm của da và làm dịu các nếp nhăn. Khi mặt nạ trong suốt được lấy ra, nó nhẹ nhàng lấy đi các tế bào da chết và các nhược điểm nhỏ khác. Da của bạn sẽ trở nên mịn mượt, làm sạch đến mức của các lỗ chân lông và rạng rỡ.

Đối tượng

Làn da lão hoá, khô cằn thiếu sức sống

Lợi ích của Mặt Nạ Swissline CS Lifting Replenishing Mask

Mặt nạ dạng kem mịn màng phục hồi và làm săn chắc cấp tốc cho làn da lão hóa khô cằn thiếu sức sống. Hợp chất CELLACTEL II cải thiện các nếp nhăn, phục hồi chức năng đàn hồi, tạo năng lượng và độ trong sáng cho da. Đồng thời hỗn hợp khoáng chất Oligo với các thành phần dinh dưỡng thiết yếu kích thích sự trao đổi chất và hô hấp của tế bào, phục hồi sức sống mới cho làn da tươi tắn và khỏe mạnh. Chiết xuất thông Bắc Mỹ giúp nâng cao khả năng dự trữ nước giúp căng mịn và nâng đỡ làn da nhão xệ, dạng kem mịn màng làm săn chắc và căng da mặt xóa nếp nhăn cấp tốc, nước tối đa cải thiện nếp nhăn và chức năng đàn hồi, kích thích trao đổi chất, tái tạo sức sống mới giúp da tươi trẻ, khỏe mạnh.

Hướng dẫn sử dụng Mặt Nạ Swissline CS Lifting Replenishing Mask

1 lần/tuần, thoa 1 lớp thật mỏng làm mặt nạ ngủ qua đêm.
Có thể sử dụng như loại mặt nạ ngủ giúp thư giãn và tái tạo làn da ban đêm.

Thành phần và lưu ý

– Hợp chất Cellactel II: công thức đột phá chống lão hóa cao, cải thiện nếp nhăn.
– Chiết xuất Thông Bắc Mỹ: giúp da căng và nâng đỡ làn da chảy xệ.
– Hỗn hợp khoáng chất Oligo (sodium, magnesium, zinc, manganese): cung cấp dưỡng chất phục hồi sự đàn hồi và trẻ hóa cho da.
– Hyaluronic Acid: chức năng thông thoáng như “miếng đệm nước” giúp nâng cao khả năng dự trữ nước tuyệt vời cho da trơn láng, mịn màng.